Das Projekt 'Oberflächeneinfluß auf die Keimbildung' wurde von T. Haasner eigenständig bearbeitet und koordiniert. Die finanzielle Unterstützung erfolgte durch die Firma Sulzer Chemtech AG (Buchs, CH).

Die Keimbildung ist für jede Kristallisation ein unerläßlicher Schritt, der die Prozeßführung und auch die Eigenschaften (z. B. die Reinheit) des Kristallisats entscheidend beeinflußt. Aus der industriellen Praxis ist bekannt, daß bei einem Teil der zu kristallisierenden Stoffsysteme die Keimbildung ein Problem darstellt, dies gilt insbesondere auch bei den Schichtkristallisationsverfahren. Es müssen dort große Temperaturdifferenzen zwischen Kühlfläche und Schmelze erzeugt werden damit sich Keime bilden. Diese wachsen dann aufgrund der großen Unterkühlung zunächst sehr schnell. Die sehr großen Wachstumsgeschwindigkeit führen dann dazu, daß größere Mengen Verunreinigung in die sich bildende Schicht eingebaut werden und die Produktqualität (Reinheit) verschlechtern. Erst nach Beendigung der Keimbildung, kann das Schichtwachstum kontrolliert ablaufen.
Für eine optimale Prozeßführung mit guter Wirtschaftlichkeit müßte eine Keimbildung ohne große Unterkühlung ausgelöst werden. Bestehende Theorien beschreiben den Zusammenhang zwischen allen Größen und der sie beeinflussenden Keimbildungsarbeit. Eine dieser Größen ist z. B. die Grenzflächenspannung zwischen der Oberfläche und der Schmelze.
Im Rahmen diesen Projektes wird die Keimbildung von unterschiedlichen Schmelzen auf unterschiedlichen Oberflächen (Material und Rauheit) wissenschaftlicht untersucht.